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□ IGZO 란?
IGZO 은 Indium 과 Gallium, Zinc, Oxide(1:1:1:3) 의 화합물로, 산화물 active layer를 가지는 TFT 에 주로 사용되는, 투명 산화물 반도체의 일종이다. 투명 산화물 반도체는 특성상 큰 밴드갭을 지니면서 캐리어이동도가 좋기 때문에, 가시광선 영역에서도 투명한 특성을 가지고 있다.
□ IGZO 의 특성
IGZO 는 Zinc-Oxide 화합물에 Indium 과 Gallium을 doping 한 형태의 화합물로, hexagonal 결정구조의 일종인 wurtzite 결정구조를 가지고 있다.
ZnO 화합물은 의료기기나 화학조미료 등 많은 분야에서 활용되지만, 반도체분야에서 역시 중요한 역할을 하고 있다. 3.37eV 의 밴드갭을 가지고 있으며, LED(Light Emitting Diode)에서 가장 많이 사용하고 있는데, 불순물 첨가에 따라 TCO 로 쓰일 수 있고 현재 많은 첨가물을 연구중에 있다. doping 에는 n-type doping 과 p-type doping 이 있는데, n-type doping 에는 알루미늄이나 인듐, 그리고 더 많은 아연 등이 첨가될 수 있으며, 현재 thin film technology 에 이용되고 있다.
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